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1330nm DFB 激光器結構組成與關鍵特性分析

更新時間:2025-07-21  |  點擊率:129
  1330nm DFB 激光器是一種基于半導體材料的激光二極管,其核心特性是通過周期性折射率調制(光柵)實現光反饋,從而產生單縱模激光輸出。1330nm DFB 激光器工作在光纖通信的O波段,常用于光纖傳感、電信和生物醫學等領域。
  1330nm DFB 激光器結構組成:
  1.外延層結構
  襯底:通常為InP(磷化銦),與InGaAsP材料晶格匹配。
  下波導層:較低折射率的InP或InGaAsP層,限制光場分布。
  有源區:厚度約幾百納米的InGaAsP多層量子阱(MQW),提供光增益。
  上波導層:與下波導層對稱,進一步限制光場。
  光柵層:位于有源區附近或內部,通過全息曝光、電子束曝光等技術刻蝕周期性折射率調制。
  蓋層:高阻材料(如InP),保護器件并形成電注入結構。
  2.電極結構
  p型和n型電極:分別接觸有源區的上下兩側,形成PIN結。注入電流時,電子和空穴分別從n型和p型區域注入有源區。
  脊形波導:通過刻蝕形成的條狀結構,限制光場和電流路徑,降低閾值電流。
  3.封裝結構
  TO封裝:激光器芯片焊接在銅熱沉上,通過金絲鍵合連接電極,外殼采用氣密性封裝。
  光纖耦合:輸出光通過透鏡或直接耦合到單模光纖,提高耦合效率。
  1330nm DFB 激光器關鍵特性:
  1.波長穩定性
  DFB結構對溫度敏感,通常需集成熱沉或溫控電路以穩定波長。
  1330 nm波長對應光纖的零色散點附近,適合長距離傳輸。
  2.單頻輸出
  無多縱模競爭,光譜純度高,適用于相干通信或高精度傳感。
  3.低閾值電流
  量子阱結構和脊形波導設計降低閾值電流。
  4.調制特性
  可直接調制(帶寬受限),或使用外部調制器實現高速調制。